LiAlO2 সাবস্ট্রেট
বর্ণনা
LiAlO2 একটি চমৎকার ফিল্ম ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট।
বৈশিষ্ট্য
স্ফটিক গঠন | M4 |
একক কোষ ধ্রুবক | a=5.17 A c=6.26 A |
গলনাঙ্ক (℃) | 1900 |
ঘনত্ব (g/cm3) | 2.62 |
কঠোরতা (Mho) | 7.5 |
পলিশিং | একক বা ডবল বা ছাড়া |
ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন | $100> 001> |
LiAlO2 সাবস্ট্রেটের সংজ্ঞা
LiAlO2 সাবস্ট্রেট বলতে লিথিয়াম অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (LiAlO2) দিয়ে তৈরি একটি সাবস্ট্রেটকে বোঝায়।LiAlO2 হল একটি স্ফটিক যৌগ যা স্পেস গ্রুপ R3m এর অন্তর্গত এবং একটি ত্রিভুজাকার স্ফটিক গঠন রয়েছে।
LiAlO2 সাবস্ট্রেটগুলি পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি, এপিটাক্সিয়াল স্তর এবং বৈদ্যুতিন, অপটোইলেক্ট্রনিক এবং ফোটোনিক ডিভাইসগুলির জন্য হেটেরোস্ট্রাকচার সহ বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়েছে।এর চমৎকার শারীরিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের কারণে, এটি বিশেষত প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য উপযুক্ত।
LiAlO2 সাবস্ট্রেটের প্রধান অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে একটি হল গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ভিত্তিক ডিভাইস যেমন হাই ইলেক্ট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর (HEMTs) এবং লাইট এমিটিং ডায়োড (LEDs) এর ক্ষেত্রে।LiAlO2 এবং GaN এর মধ্যে জালির অমিল তুলনামূলকভাবে ছোট, এটি GaN পাতলা ফিল্মগুলির এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি উপযুক্ত স্তর তৈরি করে।LiAlO2 সাবস্ট্রেট GaN ডিপোজিশনের জন্য একটি উচ্চ-মানের টেমপ্লেট প্রদান করে, যার ফলে ডিভাইসের কার্যক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়।
LiAlO2 সাবস্ট্রেটগুলি অন্যান্য ক্ষেত্রেও ব্যবহৃত হয় যেমন মেমরি ডিভাইসগুলির জন্য ফেরোইলেকট্রিক পদার্থের বৃদ্ধি, পাইজোইলেকট্রিক ডিভাইসের বিকাশ এবং সলিড-স্টেট ব্যাটারির তৈরি।তাদের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলি, যেমন উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, ভাল যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং নিম্ন অস্তরক ধ্রুবক, এই অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে তাদের সুবিধা দেয়।
সংক্ষেপে, LiAlO2 সাবস্ট্রেট বলতে লিথিয়াম অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইডের তৈরি একটি সাবস্ট্রেটকে বোঝায়।LiAlO2 সাবস্ট্রেটগুলি বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা হয়, বিশেষ করে GaN-ভিত্তিক ডিভাইসের বৃদ্ধি এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক, অপটোইলেক্ট্রনিক এবং ফোটোনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য।তাদের পছন্দসই শারীরিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা তাদের পাতলা ফিল্ম এবং হেটারোস্ট্রাকচার জমা করার জন্য উপযুক্ত করে তোলে এবং ডিভাইসের কার্যকারিতা বাড়ায়।