GAGG:সিই সিন্টিলেটর, GAGG ক্রিস্টাল, GAGG সিন্টিলেশন ক্রিস্টাল

GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) গ্যাডোলিনিয়াম অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম গারনেট সিরিয়ামের সাথে ডোপড।এটি একক ফোটন নির্গমন কম্পিউটেড টমোগ্রাফি (SPECT), গামা-রে এবং কম্পটন ইলেক্ট্রন সনাক্তকরণের জন্য একটি নতুন সিন্টিলেটর।Cerium doped GAGG:Ce এর অনেক বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা এটিকে গামা স্পেকট্রোস্কোপি এবং মেডিকেল ইমেজিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।একটি উচ্চ ফোটন ফলন এবং নির্গমনের সর্বোচ্চ প্রায় 530 এনএম উপাদানটিকে সিলিকন ফটো-মাল্টিপ্লায়ার ডিটেক্টর দ্বারা পড়ার জন্য উপযুক্ত করে তোলে।এপিক ক্রিস্টাল বিভিন্ন ক্ষেত্রে গ্রাহকের জন্য 3 ধরনের GAGG:Ce ক্রিস্টাল, দ্রুত ক্ষয় সময় (GAGG-FD) স্ফটিক, সাধারণ (GAGG-ব্যালেন্স) ক্রিস্টাল, উচ্চ আলো আউটপুট (GAGG-HL) ক্রিস্টাল তৈরি করেছে।GAGG:Ce উচ্চ শক্তির শিল্প ক্ষেত্রে একটি অত্যন্ত প্রতিশ্রুতিশীল সিন্টিলেটর, যখন এটি 115kv, 3mA এর অধীনে জীবন পরীক্ষায় চিহ্নিত করা হয়েছিল এবং ক্রিস্টাল থেকে 150 মিমি দূরত্বে অবস্থিত বিকিরণ উত্স, 20 ঘন্টা পরে কার্যকারিতা প্রায় তাজা হিসাবে একই। এক.এর মানে হল এক্স-রে বিকিরণের অধীনে উচ্চ মাত্রা সহ্য করার একটি ভাল সম্ভাবনা রয়েছে, অবশ্যই এটি বিকিরণের অবস্থার উপর নির্ভর করে এবং NDT-এর জন্য GAGG-এর সাথে আরও যাওয়ার ক্ষেত্রে আরও সঠিক পরীক্ষা পরিচালনা করা প্রয়োজন।একক GAGG:Ce ক্রিস্টালের পাশে, আমরা এটিকে লিনিয়ার এবং 2 ডাইমেনশনাল অ্যারেতে তৈরি করতে সক্ষম, পিক্সেল আকার এবং বিভাজক প্রয়োজনের ভিত্তিতে অর্জন করা যেতে পারে।আমরা সিরামিক GAGG:Ce-এর জন্য প্রযুক্তিও তৈরি করেছি, এতে আরও ভাল কাকতালীয় সমাধানের সময় (CRT), দ্রুত ক্ষয়ের সময় এবং উচ্চতর আলোর আউটপুট রয়েছে।