GaAs সাবস্ট্রেট

GaAs সাবস্ট্রেট বলতে গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs) স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি একটি সাবস্ট্রেটকে বোঝায়।GaAs হল গ্যালিয়াম (Ga) এবং আর্সেনিক (As) উপাদানের সমন্বয়ে গঠিত একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী।

GaAs সাবস্ট্রেটগুলি তাদের চমৎকার বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে প্রায়শই ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্সের ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়।GaAs সাবস্ট্রেটের কিছু মূল বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত:

1. উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা: সিলিকন (Si) এর মতো অন্যান্য সাধারণ অর্ধপরিবাহী পদার্থের তুলনায় GaAs-এর উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা রয়েছে।এই বৈশিষ্ট্যটি GaAs সাবস্ট্রেটকে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক সরঞ্জামের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

2. ডাইরেক্ট ব্যান্ড গ্যাপ: GaAs এর একটি ডাইরেক্ট ব্যান্ড গ্যাপ আছে, যার মানে ইলেকট্রন এবং হোল পুনরায় মিলিত হলে দক্ষ আলো নির্গমন ঘটতে পারে।এই বৈশিষ্ট্যটি GaAs সাবস্ট্রেটকে অপ্টোইলেক্ট্রনিক অ্যাপ্লিকেশন যেমন লাইট ইমিটিং ডায়োড (এলইডি) এবং লেজারগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।

3. ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ: GaAs-এর সিলিকনের তুলনায় একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে, যা এটিকে উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করতে সক্ষম করে।এই বৈশিষ্ট্যটি GaAs-ভিত্তিক ডিভাইসগুলিকে উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশে আরও দক্ষতার সাথে কাজ করার অনুমতি দেয়।

4. কম শব্দ: GaAs সাবস্ট্রেটগুলি কম শব্দের মাত্রা প্রদর্শন করে, যা এগুলিকে কম শব্দের পরিবর্ধক এবং অন্যান্য সংবেদনশীল ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

GaAs সাবস্ট্রেটগুলি উচ্চ-গতির ট্রানজিস্টর, মাইক্রোওয়েভ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ICs), ফটোভোলটাইক সেল, ফোটন ডিটেক্টর এবং সৌর কোষ সহ ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

মেটাল অর্গানিক কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন (MOCVD), মলিকুলার বিম এপিটাক্সি (MBE) বা লিকুইড ফেজ এপিটাক্সি (LPE) এর মতো বিভিন্ন কৌশল ব্যবহার করে এই সাবস্ট্রেটগুলি প্রস্তুত করা যেতে পারে।ব্যবহৃত নির্দিষ্ট বৃদ্ধি পদ্ধতি কাঙ্ক্ষিত প্রয়োগ এবং GaAs সাবস্ট্রেটের মানের প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে।